世界首枚3nm芯片问世

尽管台积电在市场份额和技术上仍稍占优势，但三星近期宣布研发成功全球首枚3纳米制程芯片的消息，还是让整个行业为之震惊。

三星的这一技术突破凭借什么实现的？相比旧有芯片有哪些优势？它对行业格局将带来怎样的影响？且让我们拭目以待。

先进的工艺带来更出色的性能

之所以说三星的3nm芯片是一个突破，那是因为它采用了全球先进的GAAFET（环绕栅极场效应晶体管）技术，成功突破了以往芯片广泛采用的鳍式场效应晶体管(FINFET)的技术障碍。

GAAFET技术通过在晶体管的四周环绕栅极，可以在有限的芯片面积内实现更高的晶体管密度。与FINFET相比，GAAFET技术降低了每一个晶体管的电容，所以可以显著降低芯片的功耗。